CeO2对（Nb，Mn）掺杂的TiO2压敏陶瓷的电性能影响  

作　　者：王茂华[1] 胡克鳌[1] 赵斌元[1] 张南法 

机构地区：[1]上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030 [2]常州市创捷防雷电子有限公司,江苏常州213016

出　　处：《中国稀土学报》2005年第6期673-673,共1页Journal of the Chinese Society of Rare Earths

摘　　要：通过对样品的伏-安特性、密度、介电常数及晶界势垒的测量和分析，研究了CeO2对新型（Nb，Mn）掺杂的TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。掺入0．7％CeO2的样品显示出最高的非线性系数（α=10．5）和最高的击穿电压（E=12．77V·mm^-1），以及最高的相对介电常数（ε／ε0=82900）和样品的烧结密度P=4．15g·cm^-3，与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致，可用作压敏．电容陶瓷。为了说明TiO2-Nb2O5-MnCO3-CeO2压敏陶瓷的晶界势垒的形成，提出了晶界缺陷势垒模型。

关 键 词：压敏陶瓷 缺陷势垒模型 二氧化钛 二氧化铈 电性能 稀土 

分 类 号：TN104.3[电子电信—物理电子学] TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]