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机构地区:[1]曲阜师范大学信息技术与传播学院,山东日照276826 [2]曲阜师范大学计算机科学学院,山东日照276826 [3]曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜273165
出 处:《光电子.激光》2006年第1期94-97,共4页Journal of Optoelectronics·Laser
摘 要:采用阳极氧化方法制备了多孔硅(PS),经过超声波充分粉碎PS层得到分散的Si纳米颗粒(n-Si),利用高速离心旋转方法将n-Si镶嵌到多孔氧化铝(Al2O3)模板中,得到n-Si/Al2O3复合体系。研究了PS、分散的n-Si和n-Si/Al2O3的荧光(PL)光谱性质,观察到n-Si极强的蓝紫光发射。结果表明,在Al2O3模板中的n-Si,比起PS和丙酮中的发光峰值波长向短波方向“蓝移”,而且半峰全宽(FWHM)也相对变窄。实验现象表明,量子限制效应(QCE)对样品的PL性质有重要作用,并用QCE对样品的发光“蓝移”现象进行了解释。Samples of porous silicon(PS) are fabricated by anodization with constantly current density,then dispersed into a colloid of Si nanoparticles(n-Si) by using supersonic. We select Al2O3 as a template to embed the n-Si with centrifugal force,the complex material of n-Si/Al2O3 can be obtained. Photoluminescent(PL) properties of PS, n-Si in acetone and in Al2O3 are studied systematically, and a ultrabright blue-purple photoluminescent band of n-Si can be observed. The experimental result of PL shows that there is a rather blueshift for the peak wavelength of n-Si in Al2O3 compared with the PS and n-Si in acetone. It has been suggested that the quantum confinement effect(QCE) may be suitably explained for the PL spectra of Al2O3 and n-Si.
关 键 词:多孔硅(PS) 硅纳米颗粒(n-Si) 多孔氧化铝(Al2O3) 量子限制效应(QCE)
分 类 号:TN383.2[电子电信—物理电子学]
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