铝阳极氧化膜的形核率对其介电性能的影响  

作　　者：陈建军[1] 袁战恒[1] 李世才 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院 [2]南辉电子材料公司

出　　处：《电子元器件应用》2006年第1期100-100,102-104,共4页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：采用冷场发射扫描电镜及红外能谱分析仪对氧化物表面形貌及组织进行观察,通过分析形核率的大小与化成电流密度、箔表面形貌等因素之间的关系,得到的结果表明:①形核率的大小直接关系到氧化膜中缺陷的多少;②电化学法形成氧化物在生长条件稳定时,可连续有序生长,而在条件遭到破坏时生长停止,再形成时必须重新成核生长。而这样将使氧化膜中的晶界缺陷增多。

关 键 词：铝阳极氧化膜 形核率 介电性能 场发射扫描电镜 表面形貌 生长条件 晶界缺陷 能谱分析仪 电流密度 电化学法 

分 类 号：TG174.451[金属学及工艺—金属表面处理] TG111.4[金属学及工艺—金属学]