Design and Fabrication of Power Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications  

用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文)

作　　者：薛春来[1] 成步文[1] 姚飞[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第1期9-13,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目~~

摘　　要：A multi-finger structure power SiGe HBT device （with an emitter area of about 166μm^2） is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V.采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益β为144·25,BVCBO为9V.

关 键 词：SiGe HBT POWER RF WIRELESS 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]