聚3-己基噻吩的光电性能研究  

A photoelectrochemical study of the poly (3-hexylthiophene)

作　　者：郝彦忠[1] 蔡春立[2] 

机构地区：[1]河北科技大学理学院,河北石家庄050018 [2]河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018

出　　处：《功能材料》2006年第1期22-24,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(20203008);河北省自然科学基金资助项目(202351);河北省教育厅博士基金资助项目(110611)

摘　　要：利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV)。研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%The photonelectrochemical properties of the poly（3-hexylthiophene） film on the conducting glass were investigated with photonelectrochemical methods. The bandgap of P3HT film was 1.89eV. The conduction band and valence band were determined to be -3.6 and -5.4eV respectively. The maximal IPCE measured in this paper was 5.2 %.

关 键 词：聚3-己基噻吩 光电化学 导电聚合物 

分 类 号：O64[理学—物理化学] TQ251.2[理学—化学]