退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响  

Affect of annealing temperature on properties of antimony-doped Zn-Sn-O films

作　　者：黄树来[1] 姜永超[1] 盖凌云[2] 徐进栋[1] 王雨生[1] 马瑾[3] 

机构地区：[1]莱阳农学院理学院,山东莱阳265200 [2]莱阳农学院教育技术中心,山东莱阳265200 [3]山东大学物理与微电子学院,山东济南250100

出　　处：《功能材料》2006年第2期219-221,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276044);教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165)

摘　　要：首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O∶Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω.cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2.V-1.s-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。Polycrystalline Sn-Zn-O ： Sb films are prepared on corning 7059 glass substrates at low-temperature by r. f. magnetron sputtering. The structural, electrical and optical properties of the deposited films have been studied together with the influence of the annealing temperature. The resistivity of the antimony-doped Sn-Zn-O film is 4 × 10^-2Ω·cm, the carrier concentration is 2.1 × 10^19cm^-3 and hall mobility 8cm^2 · V^-1 · s^-1. The average transmittance in the visible region reaches 92.4%.

关 键 词：磁控射频溅射 透明导电膜 Zn-Sn-O:Sb 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] TN304.055