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机构地区:[1]西安交通大学电子材料研究室
出 处:《物理学报》1996年第1期80-87,共8页Acta Physica Sinica
基 金:西安交通大学精细功能电子材料与器件开放研究实验室基金
摘 要:利用MgF_2作为扩散源进行镁离子内扩散LiNO_3单晶基片的研究.经电子探针显微镜分析表明,镁的扩散层镁离子浓度分布具有近似半抛物形和阶跃形分布,并得到镁的激活能为104KJ/.X射线衍射分析发现,当镁离子内扩散超过一定程度时,在镁的扩散层出现具有LiNb_3O_8的物相结构,并发现该物相结构的出现与LiNO_3体内锂离子的外扩散和扩散表面氟离子的存在有关.由扫描电子显微镜观察到氟离子以LiF的形式出现,并随着扩散程度的增大,挥发和脱离开扩散层表面.A study of the Mg-ion indiffusion of lithium niobate single crystal substrate is made byMgF_2 as a diffusion source. By means of electron probe microanalysis, the Mg-ion concentra tion of the Mg diffused layer is obtained, which is approximately a half parabolic and stepprofiles. The activation energy of Mg-ion indiffusion is 104 kJ/mol. It is found by X-raydiffraction analysis that in the Mg diffused layer LiNb_3O_8 compound appears with Mg-ion in diffusion beyond a certain extent. The appearance of LiNb_3O_8 compound is related to the Li ion outdiffusion from the bulk of lithium niobate and existence of a great deal of F-ion at thediffused surface. It is observed by scanning electron microscopy that the F-ion is in the formof LiF and LiF will go away from the surface of the Mg diffused layer with increasing of Mg ion indiffusion degree.
分 类 号:TN204[电子电信—物理电子学]
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