Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0.25μm MS/RF CMOS  

基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计(英文)

作　　者：陈弘达[1] 高鹏[1] 毛陆虹[2] 黄家乐[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第2期323-327,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312240,2003AA312040);国家自然科学基金(批准号:60536030)资助项目~~

摘　　要：A monolithically integrated optoelectronic receiver is presented. A silicon-based photo-diode and receiver circuits are integrated on identical substrates in order to eliminate the parasitics induced by hybrid packaging. Implemented in the present deep sub-micron MS/RF （mixed signal, radio frequency） CMOS,this monolithically OEIC takes advantage of several new features to improve the performance of the photo-diode and eventually the whole OEIC.设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.

关 键 词：monolithically integrated OEIC CMOS process 

分 类 号：TN85[电子电信—信息与通信工程]