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机构地区:[1]西安建筑科技大学理学院,西安710055 [2]西安建筑科技大学材料学院,西安710055
出 处:《原子与分子物理学报》2006年第1期163-165,共3页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:陕西省教育厅专项科研基金(04JK128);西安建筑科技大学基础研究基金(03BR10)
摘 要:在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0.8980v2n.755;5snd12231系列为τ=0.3628v2n.829.In this paper we have analyzed the MQDT model of CdI even-parity J = 1 by means of MQDT, and obtained a special calculation method of the life-time of high excited state by wave function of MQDT, The life-times of two Rydberg series 5sns1/2[1/2]1 and 5snd 1/2[3/2]1 have been predicted, and the fitted formulas of them are given as follows: the 5sns1/2[1/2]1 series is τ=0.8980vn^2.755;the 5snd 1/2[3/2]1 series is τ=0.3628vn^2.829.
关 键 词:多通道量子数亏损理论 RYDBERG系列 寿命
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