光CVD—SiO_2薄膜的性能及其应用  

THE SPECIALITY AND APPLICATION OF PHOTO-CVD-SiO_2 FILM

作　　者：王晓俊[1] 罗庆芳[1] 邹道文[1] 郭述文[1] 夏至洪 

机构地区：[1]南昌大学高新技术研究所,南昌大学应用物理所,江西师范大学

出　　处：《南昌大学学报（理科版）》1996年第1期14-16,共3页Journal of Nanchang University(Natural Science)

基　　金：江西省自然科学基金;南昌大学校基金

摘　　要：采用光ＣＶＤ法制备了良好的ＳｉＯ２薄膜，为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。SiO2 film of good quality was manufactured by photo-CVD method. A new decorative way for semiconductors and gas sensors is presented.

关 键 词：光VCD 薄膜 二氧化硅 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]