1.3～1.55μm波长DFB和DBR激光器最新进展  

Recent Advances in Long-Wavelength(1.3～1.55μm)DFB and DBR Laser Diodes

作　　者：何兴仁[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆市永川632163

出　　处：《半导体光电》1990年第3期248-256,共9页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：本文介绍近年来国外在研制1.3～1.55μm 波长 InGaAsP 材料系 DFB 和 DBR激光器方面取得的最新成果。The paper presents new development of InGaAsP-based DFB and DBR laser diodes with wavelength of 1.3～1.55μm achieved in recent years out of Chi- na.

关 键 词：DEB DBR 半导体激光器 光通信 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]