等离子体聚合膜的制备及在ISFET中的应用  

作　　者：邵丙铣[1] 金曼娜[1] 邵红霖 

机构地区：[1]复旦大学

出　　处：《半导体技术》1990年第2期32-34,40,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文叙述了用等离子体辉光放电法将单体直接聚合成高分子膜,及淀积在半导体器件样品上的制备设备、方法、性能及应用结果。由于设备简单,操作方便,同半导体工艺相容及聚合膜有良好的抗水性及抗离子性,它在离敏器件中有一定的应用价值。预计在其它器件中也有推广的价值。

关 键 词：等离子体 聚合膜 ISFET 应用 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]