低电压基准电压源(英文)  

Low Supply Bandgap Voltage Reference

作　　者：毛静文[1] 陈廷乾[1] 陈诚[1] 任俊彦[1] 杨励[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》2006年第1期87-91,共5页Journal of Fudan University：Natural Science

基　　金：National"863"high-tech programSOC project(2003AA1Z1160)

摘　　要：设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％，功耗为0．22mW，芯片核面积为0．057mm^2。A low power and high precision CMOS bandgap voltage reference circuit is presented. Prototype of the circuit is fabricated using the 0.18 tan CMOS process. It fulfills the first order PTAT （Proportion To Absolute Temperature） temperature curvature compensation with a good PSRR （Power Supply Rejection Ratio）. The measured results of this circuit at 1.5 V show that the PSRR is 47 dB. And the output voltage varies from 1. 114—1. 117 V which is constant within 0. 269 % over the temperature range of 0 - 80℃. The power dissipation is 0.22 mW and the active area is 0. 057 mm^2.

关 键 词：模拟集成电路 带隙基准源 电源抑制比 低电压 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]