O_2+HCl气氛中CZSi的IG处理  

作　　者：张维连[1] 

机构地区：[1]河北工学院

出　　处：《半导体技术》1990年第3期53-54,49,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：高纯氧加少量HCl气氛中进行CZSi的IG处理,对抑制硅片表面热氧化层错和钝化Na^+等有良好效果,而对洁净区的形成与厚度影响不大。

关 键 词：O+HCl C2Si IG处理 集成电路 

分 类 号：TN405.3[电子电信—微电子学与固体电子学]