硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究  

作　　者：詹娟[1] 刘光廷[1] 孔德平[1] 

机构地区：[1]东南大学

出　　处：《半导体技术》1990年第5期48-50,47,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。

关 键 词：功率晶体管 直接键合 SDB 硅/硅 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]