直接浸渗法制备MoSi_2/SiC复合材料在900℃下氧化性能研究  

作　　者：尹斌[1] 万隆[1] 刘小磐[1] 

机构地区：[1]湖南大学材料科学与工程学院,长沙410082

出　　处：《陶瓷》2006年第2期13-15,18,共4页Ceramics

摘　　要：研究了直接浸渗法制备的MoSi2/SiC复合材料在900℃温度下的氧化性能,以及复合材料在该温度下表现为硅、钼同时氧化。由于MoO3的挥发复合材料表现为失重,复合材料的失重量与材料的孔隙率和SiC粒径大小有关,孔隙率越高,SiC粒径越小其失重量越大。MoSi2/SiC复合材料在900℃氧化时氧化层结构蔬松,表面存在大量气孔,无法在材料表面形成致密的SiO2氧化层。

关 键 词：浸渗法 复合材料 氧化性能 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TB33[化学工程—硅酸盐工业]