量子阱材料的电子显微镜及光致发光研究  

Electron Microscopy and Photoluminescence Studies of GaAs/Al_xGa_(1-x)As Quantum wells

作　　者：范缇文[1] 张永航[1] 曾一平[1] 陈良惠[1] 徐统 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所 [2]美国犹他大学材料科学和工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1990年第9期706-708,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,也观察到分子束外延对改进异质结界面的平整度有明显作用。Using XTEM, REM and PL, the effect of structural quality on the optoelectronic properties of GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum wells grown by MBE has been studied. In addition, the experimental results reveal that the flatness of interfaces in heterostructures can be improved by MBE technique.

关 键 词：量子阱材料 电子显微镜 光致发光 

分 类 号：TN248.04[电子电信—物理电子学]