用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO_3薄膜的制备及结构研究  

Preparation and Structure of Higher C-axis Oriented LiNbO_3 Thin Films for SAWD

作　　者：杨保和[1] 陈希明[1] 赵捷[1] 杨晓苹[1] 徐晟[1] 李明[1] 

机构地区：[1]天津理工大学光电信息学院,天津300191

出　　处：《光电子．激光》2006年第3期261-264,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金项目(60276001)资助;天津自然科学基金项目(023601711)资助;天津市教委基金项目(20030521;2004zd02)资助

摘　　要：采用射频（RF）磁控溅射法在金刚石（111）衬底上沉积LiNbO3（LN）薄膜，借助X射线衍射技术（XRD），研究了外加偏压（0～80V）和衬底温度（200～500℃）等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明，在衬底温度为200℃、外加偏压为～80V的T艺条件下，LiNbO3的（006）衍射峰强度超过LN的（012）衍射峰强度，在金刚石（111）衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。Lithium niobate [LiNbO3 （LN）]thin films were deposited on （111） diamond substrate by RF magnetron sputtering. Effects of biased voltage （0-80V） and substrate temperature （200-500℃） on the film structure and orientation of LiNbO3 （LN） thin films were investigated by using XRD. The results indicate that intensity of LN（006） diffraction peak is stronger than that of LN（012）, and c-axis orientation of the LN films is higher at a biased voltage of -80V and a substrate temperature of 200℃. The growth mechanism of c-axis oriented LN thin films was also discussed.

关 键 词：声表面波(SAW) LiNbO3薄膜 金刚石 射频磁控溅射 择优取向 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]