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出 处:《Journal of Semiconductors》2006年第3期443-447,共5页半导体学报(英文版)
摘 要:This paper presents a novel scheme for enhancing resistance that utilizes an equivalent negative resistance. Adopting this novel scheme in the proposed current source could remarkably boost its output resistance without requiring increased power supply. Simulation with 0.6μm CMOS process models shows that the output resistance of the novel current source can reach the order of 10^9Ω with a 1.04GHz bandwidth and only 10.6ppm/℃ in the range of -40~145℃.给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法,利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达10^9Ω,同时,该电流源频带宽度为1.04GHz,在-40~145℃之间,电流源的温度系数只有10.6ppm/℃.
关 键 词:current source negative resistance paralleled resistance
分 类 号:TM910[电气工程—电力电子与电力传动]
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