用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层  

作　　者：刘世民[1,2] 于栋利[1,2] 田永君[1,2] 何巨龙[1,2] 李东春[1,2] 陈世镇[1,2] 

机构地区：[1]秦皇岛玻璃研究设计院 [2]燕山大学

出　　处：《电子显微学报》1996年第6期537-537,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用ＳＡＣＰ技术研究ＥＬＩＤ磨削后的单晶硅片表面变质层＊刘世民１，２于栋利２田永君２何巨龙２李东春２陈世镇２（１．秦皇岛玻璃研究设计院，秦皇岛０６６００４）（２．燕山大学，秦皇岛０６６００４）单晶硅片的表面质量是制约制造超大规模集成电路成品率的主要因素...

关 键 词：单晶硅片 表面变质层 SACP技术 ELID 磨削 

分 类 号：O794[理学—晶体学] TN304.12[电子电信—物理电子学]