新型金属卟啉共轭聚合物的合成与光电流响应  

作　　者：赵金玲[1] 李滨松[1] 薄志山[1] 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,北京100080

出　　处：《科学通报》2006年第5期524-531,共8页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：20225415,20423003和20374053）;国家基础研究发展规划（批准号：2002CB613401）资助项目.

摘　　要：采用Sonogashira偶联反应,制备了几种以芴或咔唑为间隔基的新型金属卟啉共轭聚合物.这些新型金属卟啉共轭聚合物具有较高的分子量、很好的溶解性和成膜性.其光谱性质和光电流响应结果表明,聚合物中卟啉的含量是影响卟啉聚合物光电流响应的主要因素,且咔唑基团的引入有利于卟啉聚合物光电流的产生.

关 键 词：卟啉 共轭聚合物 光电流响应 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]