毫米波单片混频器的研制  

Design and Implementation of Millimeter Wave Monolithic Signle Balanced Mixer

作　　者：陈继新[1] 洪伟[1] 严蘋蘋[1] 殷晓星[1] 程峰[1] 汤红军[1] 

机构地区：[1]东南大学毫米波国家重点实验室,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第1期25-28,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金重点项目(No.90307016)

摘　　要：采用0．18μm GaAs PHEMT工艺，设计和研制了34-40GHz毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构．采用180°电桥结构改善LO—RF的隔离度，并修改了该结构以方便布版。在39GHz频点上，该混频器的插入损耗小于7．2dB、LO—RF隔离度大于32dB。A 34-40 GHz mixer MMIC has been designed and implemented with 0. 18 μm GaAs PHEMT process. The mixer employs single balanced structure. A modified 180 degree bridge is used to improve the isolation between LO and RF and provide convenience for layout. The mixer gives a low insertion loss of less than 7.2 dB, and high LO to RF isolation of above 32 dB at 39 GHz.

关 键 词：单平衡混频器 砷化铱 毫米波 插入损耗 隔离度 1分贝压缩点 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]