一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器  

A RF Amplifier Compensated by Triode MOSFET

作　　者：曹克[1] 杨华中[1] 汪蕙[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第1期38-42,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金(60025101;90207001;90307016);863计划(2003AA1Z1390)

摘　　要：研究了一种采用线性化技术的低电压CM O S射频放大器。电路中,并联一个工作在线性区的M O S管来提高其线性。采用SM IC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入三阶交截点功率提高了大约5 dB。A low-voltage CMOS radio frequency amplifier using linearizing technique was presented in which a parallel MOSFET in the triode region is used to boost the linearity. The circuit was fabricated with SMIC 0. 18 μm process. Measurements showed that the input-referred 3rd-order intercept point was improved by - 5 dB at the cost of little addition of power dissipation.

关 键 词：互补金属氯化物半导体 低电压 射频 线性度 放大器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3