Si(111)7×7表面Gd@C_(82)分子的STM研究  

Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd@C_(82) on Si(111) 7×7 Surface

作　　者：刘宇[1] 申自勇[1] 孙涛[1] 侯士敏[1] 赵兴钰[1] 薛增泉[1] 施祖进[2] 顾镇南[2] 

机构地区：[1]北京大学信息科学技术学院 [2]北京大学化学与分子工程学院,北京100871

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第1期43-47,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金(No.50202001;90406014;20371004;60371005);国家重点基础研究资助项目(No.2001CB610503)

摘　　要：用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性。STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定。扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性。分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化。Structures and electronic properties of the endohedral metallofullerence, Gd @ C82, adsorbed on Si（ 111 ） reconstructed surface was studied with ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy （UHV-STM）.STM images show that the adsorbed Gd@C82 molecules display semi-coeducting properties and above the three adatoms in the 7 × 7 unit cell is the preferential, stable adsorption site. Moreover, electron transfer between Gd and C82 cage strongly affects local desity of states （LDOS） of Gd@C82.

关 键 词：Gd@C82 扫描隧道显微镜(STM) 扫描隧道谱(STS) Si(111)7×7 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]