抑制△I噪声的去耦电容器应用技术  

Techniques for Suppressing △I Noise by using Decoupling Capacitors

作　　者：周胜海[1] 郭淑红[2] 

机构地区：[1]信阳师范学院物理与电子工程学院,河南信阳464000 [2]信阳农业高等专科学校,河南信阳464000

出　　处：《信阳师范学院学报（自然科学版）》2006年第2期195-198,共4页Journal of Xinyang Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：河南省自然科学基金资助项目(0311012500);河南省教育厅自然科学研究计划项目(2006510009)

摘　　要：利用去耦电容器抑制△I噪声面临一些新的挑战.分析了去耦电容器的寄生参数对其高频性能的影响,总结了高速高密度PCB上去耦电容器的选择,并重点讨论了抑制△I噪声的去耦电容器应用技术.结果表明:利用去耦电容器抑制△I噪声,应多个去耦电容器并联使用,并恰当选择去耦电容器的种类、个数、电容值和自谐振频率,以得到期望的等效阻抗曲线.Suppressing △I noise in digital circuits by using decoupling capacitors on PCBs is faced with some challenges. How the parasitic parameters of a decoupling capacitor affects its high frequency performance is analyzed, how to select decoupling capacitors outlined, and the use of the multiple decoupling capacitors for suppressing △I noise discussed in this paper. The results illustrate that using multiple decoupling capacitors and seletting properly the type, number, capacitance, and self-resonant frequency of the decoupling capacitors are essential to the expected equivalent impedance curve of dccoupling capacitors.

关 键 词：△I噪声 去耦电容器 谐振频率 阻抗曲线 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学] TP33[自动化与计算机技术—计算机系统结构]