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作 者:李恩玲[1] 陈贵灿[1] 王雪文[2] 薛英[3] 马红[3]
机构地区:[1]西安交通大学微电子研究所,西安710049 [2]西北大学电子系,西安710068 [3]西安理工大学理学院,西安710048
出 处:《原子与分子物理学报》2006年第2期279-286,共8页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:陕西省科技攻关项目(2005k06-G25)
摘 要:本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定.The density functional theory (DFT) is carried out on the low lying geometric structure, electronic state and energy of GanP^- ( n = 2-7) and GanP2^- ( n = 1-6) anionic clusters. Structural optimization and frequency analysis are performed at the level B3LYP/6-31 + G^*. The ground state of GanP^- ( n = 2-7) and GanP2^- ( n = 1-6) anion clusters are found. With increasing cluster size we find transitions from planar to non- planar structures at n = 5. The strong P-P bond is favored over P-Ga in GanP2^- ( n = 1-6) anionic clusters. Among different GanP-( n =2-7) and Ga.P2-( n = 1-6) clusters, Ga3P2^-, Ga4P2^-, GasP2^- and Ga6P^- are more stable.
关 键 词:GanPm^-阴离子团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构
分 类 号:O562.3[理学—原子与分子物理]
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