表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能  

Improved field emission of carbon nanotubes by hafnium coating

作　　者：张继华[1] 王永进[2] 冯涛[2] 于伟东[2] 王曦[2] 杨传仁[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《功能材料》2006年第4期624-626,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G20000000672-2)

摘　　要：研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响。研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功。The field emission properties of hafnium coated carbon nanotubes （CNTs） were investigated. Result shows hafnium carbide formed on the surface of CNT films at annealing temperature of 1200℃ ,which improved the field emission current densities,emission uniformity and emission stability for CNT films. The improvement field emission by Hf coating on CNTs surface is attributed to the low work function,chemical inertness and good conductivity of HfC.

关 键 词：碳纳米管 场发射 碳化铪 薄膜 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学] TB383[理学—物理]