射频鞘层中等离子体浓度对离子动量的影响  

Effect of Plasma Density on Ion Momentum in Radio Frequency Plasma Sheath

作　　者：李志刚[1] 丁玉成[1] 

机构地区：[1]西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,陕西西安710049

出　　处：《电子元件与材料》2006年第5期65-68,共4页Electronic Components And Materials

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)重点资助项目(2002AA420050);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2003CB716202);国家自然科学基金资助项目(50275118)

摘　　要：利用射频鞘层模型，推出了离子到达被加工材料表面时的动量的表达式．利用表达式分析了离子轰击材料表面的动量与等离子体浓度的关系．理论分析与实验数据有较好的吻合．等离子体浓度的增大对鞘内离子动量起抑制作用：随等离子体浓度（10^15-10^16m^-3）增加，离子动量（10^-22-10^-21kg·m·s^-1）减小．等离子体浓度较小（约〈3×10^15m^-3）时，对离子动量有较显著的影响；随等离子体浓度增大（约〉3×10^15m^-3），其作用越来越平缓。Based on the RF （radio frequency） sheath model, the equation for ion momentum when reaching the material surface was derived. Using the equation for ion momentum, the effect of plasma density on the ion momentum impinging on the material surface was analyzed. The comparison between the theoretical analysis and the experimental data shows agreement. Plasma density plays a restraint effect on ion momentum： as the plasma density （10^15-10^16 m^-3） increasing, the ion momentum （10^-22-10^-21 kg · m · s^-1） decreases. When the plasma density is low （approximately less than 3×10^15m^-3）, its effect is notable; as plasma density increasing （approximately larger than 3×10^15m^-3）, the effect tends to become weaker.

关 键 词：半导体技术 等离子体 鞘层 射频 离子 动量 等离子体浓度 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]