一种基于衬底驱动技术的0.8V高性能CMOS OTA  

A 0.8 V High Performance CMOS OTA Based on Bulk-Driven Technique

作　　者：张海军[1] 朱樟明[1] 杨银堂[1] 张宝君[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《电子器件》2006年第2期344-347,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金资助(60476046;90207022);国家部委基金资助(51408010304DZ0140)

摘　　要：基于衬底驱动MOS技术。设计了一种0．8V COMS跨导运算放大器（OTA），在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益。在±0．4v的电源电压下，其直流开环增益为73．8dB，单位增益带宽为16．4MHz，相位裕度为53°，功耗为125．4μW，输出电压范围为-0．337～0．370V。Based on bulk-driven MOS techniques, an ultra-low voltage CMOS operational transconductance amplifier （OTA） was designed, k is applicable in ultra-low voltage by applying signals to the bulk terminals of the complementary input differential pairs in order to avoid the constraint of threshold voltage of MOSFET. The dc gain of OTA was increased by using auxiliary common source amplifiers. In the ±0. 4 V power supply, the dc open loop gain of the OTA is 73. 8 dB, its unity gain bandwidth is 16. 4 MHz, the phase margin is 53° with the power dissipation of 125. 4 μW. The input/output voltage range is --0. 337--0. 370 V.

关 键 词：衬底驱动 超低压 跨导运算放大器 CMOS 低功耗 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]