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作 者:商干兵[1] 周勇[1] 丁文[1] 余先育[1] 曹莹[1] 周志敏[1]
机构地区:[1]上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200030
出 处:《磁性材料及器件》2006年第2期14-17,共4页Journal of Magnetic Materials and Devices
基 金:国家自然科学基金项目(50275096);上海市纳米专项资助项目(0352nm014);教育部科学技术研究重大项目资助项目(重大0307)
摘 要:采用直流电镀结合正胶光刻工艺制备了Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79三明冶薄膜,并在0.1-40MHz范围内研究了它的纵向巨磁阻抗效应特性。实验结果表明,Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79三明治薄膜有十分明显的纵向GMI效应,GMI先随外加磁场的增高而迅速增大,在Hext=0.96kA/m达到最大值后开始逐渐下降.在频率为1.2MHz,外加磁场为0.96kA/m时薄膜的纵向GMI最大值达到88.3%.Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79 sandwiched films were prepared by DC-electroplating incorporated with positive photoresist lithography technique on glass substrate. The longitudinal giant magneto-impedance (GMI) was measured in the frequency range of 0. 1-40MHz. The results show that Fe21Ni79/Cu/Fe21Ni79 sandwiched films exhibit obvious longitudinal GMI, and the longitudinal GMI increases rapidly with increasing applied field Hext, reaching a positive maximum at Hext=0.96kA/m, and then decreases with further increasing Hext. In addition, the maximum longitudinal GMI of 88.3% occurs at the frequency of 1.2MHz and Hext=0.96kA/m.
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