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作 者:张其胜[1] 周全国[1] 程延祥[1] 马东阁[1] 王利祥[1]
机构地区:[1]中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
出 处:《应用化学》2006年第5期570-572,共3页Chinese Journal of Applied Chemistry
基 金:科技部"九七三"项目(2002CB613401);国家自然科学基金(20474062)资助项目
摘 要:考察了红光Cu(Ⅰ)配合物[Cu(dbp)(dmp)](BF4)(dbp:2,9-二叔丁基-1,10-菲咯啉;dmp:2,9-二甲基-1,10-菲咯啉)的光致发光(PL)和电致发光(EL)性能。将质量分数为20%的配合物掺杂于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜中,配合物的最大发射在617 nm,PL效率约为5%,磷光寿命为1.7μs。将质量分数为10%的配合物搀杂于聚乙烯基咔唑(PVK)主体材料中,制备的多层器件的光谱同配合物在PMMA薄膜中光致发光光谱基本一致,能达到631 cd/m2的最大亮度和0.9 cd/A的最大电流效率。器件在高电流密度下的三重态-三重态淬灭不严重,这与该Cu(Ⅰ)配合物的磷光寿命较短有关。The photoluminescence and electroluminescence properties of red Cu ( Ⅰ ) complex [ Cu (dbp) (drop) ] ( BF4 ) ( dbp = 2,9-Di-tert-butyl-1,10-phenanthroline ; dmp = 2,9-Dimethyl-1,10-phenanthroline) were studied. The film of 20% Cu ( Ⅰ ) complex in PMMA exhibited a photoluminescence quantum yield of 5% with emission maximum at 617 nm. A short excited-state lifetime of 1.7 μs was also observed. Phosphorescent OLEDs with red emission identical to photoluminescence spectrum of the complex in PMMA film were fabricated by using poly ( vinyl carbazole) (PVK) as host. A current efficiency of 0. 9 cd/A along with a maximum brightness up to 631 cd/m^2 was demonstrated. The triplet-triplet(T-T) annihilation under a high current density was not significant for these devices and might be attributed to the short excited-state lifetime of the complex.
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