铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究  

作　　者：卢德新[1] 李佐宜[1] 刘兴阶[1] 黄龙波[1] 傅焰峰[1] 林更琪 

机构地区：[1]华中理工大学固体电子学系,武汉430074

出　　处：《真空科学与技术》1996年第3期206-211,共6页Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则低温（900℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（1200℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比，使得薄膜的铁电性能变差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为600～650℃，60min，典型的剩余极化强度为13．2μC／cm2，矫顽场为55．5kV／cm2。

关 键 词：射频磁控溅射 锆钛酸铅 薄膜 晶体结构 铁电体 

分 类 号：TM27[一般工业技术—材料科学与工程] O484.1[电气工程—电工理论与新技术]