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机构地区:[1]山东工业大学材料学院
出 处:《复合材料学报》1996年第4期34-38,共5页Acta Materiae Compositae Sinica
摘 要:文中依据固体经验电子理论[1],建立了NiTi形状记忆合金马氏体晶胞的键络模型;并就合金化元素V对其相变点MS的影响进行了电子结构分析,为揭示该功能材料中成分-性能-结构之间的内在联系做了初步探索,从电子结构的层次上初步解释了V对NiTi合金MS点的作用机制。Based on the empirical electron theory of solids and molecules, the bonding complex models of the martensitic cell are set up, and an analysis of VES for alloying element (V) on the M S of NiTi shape memory alloys is made. Some preliminary attempts at revealing the relationship between alloy composition structure property and NiTi alloy martensitic VES are presented.
分 类 号:TG139.6[一般工业技术—材料科学与工程]
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