有序Ni_3Al晶体中位错和晶界的化学浸蚀  

作　　者：陶正兴 

出　　处：《上海钢研》1996年第3期63-63,共1页Journal of Shanghai Iron and Steel Research

摘　　要：日本学者首先利用AIN和MnS作为初次再结晶阶段的晶粒长大抑制剂,并在二次再结晶阶段采用含N气氛,旨在生产出具有{110}<001>强织构的晶粒取向硅钢。近年来,采用在二次再结晶过程前将最终规格的硅钢片进行氮化(渗氮)的方法,使上述抑制作用得到了进一步的增强。尽管N的有利作用已经得到证实,但至今尚未充分了解N是如何改变析出相的尺寸和分布的。为此,最近韩国有人研究了在基体或退火气氛处于N影响下3％硅钢中的AIN析出相的尺寸和分布情况。0.10mm厚的最终规格硅钢片进行渗氮(氮化)后,基体中含有不同数量的[N]。然后将它们在两种不同的N分压下(100％H_2,75％N_2+25％H_2)进行退火。在退火期间的一定时间间隔及该间隔前取样。由透射电镜(TEM)摄取的萃取复制图象来检验样品中的析出相。通过研究,得到了如下结果:

关 键 词：金属间化合物 镍铝合金 位错 晶界 化学浸蚀 

分 类 号：TG146.15[一般工业技术—材料科学与工程]