日本研制成功硅纳米线定向耦合器  

作　　者：吴天 

出　　处：《光电子技术与信息》2006年第3期27-27,共1页Optoelectronic Technology & Information

摘　　要：日本NEC公司和日本光电子工业与技术发展协会及东京大学的科学家们第一个成功研制出Si纳米线定向耦合器。该Si纳米线定向耦合器比传统的用玻璃光纤、基于半导体SiO2或铌酸锂波导制作的定向耦合器尺寸小得多。与传统定向耦合器的几个mm的长度相比较，Si纳米线定向耦合器的总长度≤50μm。由于Si芯与SiO2包层之问的折射率差很大（分别为3．5和1．5），Si纳米线波导的S形弯曲的曲率半径小得多，所以弯曲损耗小。此外，传统的定向耦合器的典型耦合长度为几百μm或甚至为几个mm，而Si纳米线定向耦合器的耦合长度≤10μm。

关 键 词：日本NEC公司 定向耦合器 硅纳米线 研制成功 SIO2 铌酸锂波导 耦合长度 弯曲损耗 光电子工业 东京大学 

分 类 号：TN622[电子电信—电路与系统] TQ324.8[化学工程—合成树脂塑料工业]