混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜  

Growth of MgB_2 Thin Film Fabricated on Mg Substrate by Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition

作　　者：姚丹[1] 庄承钢[1] 张开成[1] 余增强[1] 冯庆荣[1] 王福仁[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》2006年第3期357-360,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

基　　金：北京大学物理学院和国家重点基金研究项目(BKBRSF-G19990646-02)

摘　　要：用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。Superconducting MgB2 thin films were fabricated on Mg substrate by using the hybrid physical-chemical vapor deposition （HPCVD） technique. The film has a To（onset） of 39.5 K. The SEM images demonstrate that crystallite is compact. X-ray diffraction pattern indicates the film is polycrystalline with no preferring growing direction. The grain size is about 400 nm-1.0μm. These results show that it is feasible to deposit MgB2 thin films directly on Mg by HPCVD technique. It is advantaged to fabricate MgB2 fibers directly on SiC carrier and MgB2 superconductive wires.

关 键 词：MgB2薄膜 M-T曲线 X射线衍射图 SEM图 EDX成分分析 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]