电介质膜增强的Goos-Hnchen位移的微波测量  

Microwave Measurement of Dielectric Film-Enhanced Goos-Hnchen Shift

作　　者：李春芳[1] 杨晓燕[2] 段弢[1] 张纪岳[1] 

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室 [2]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074

出　　处：《中国激光》2006年第6期753-755,共3页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(60377025;60407007);上海市科委基础研究重点项目(04JC14036);上海市青年科技启明星跟踪计划(03QMH1405);上海市教委青年基金(04AC99);上海市重点学科建设项目(T0104)资助课题

摘　　要：如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-Ha¨nchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos-Ha¨nchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好。The Goos-Hanchen shift （GH shift） of reflected beam is resonance enhanced under some conditions when the incident beam transmits from the high-refractive index prism to the low-refractive index dielectric thin-film and is totally reflected from the film-air interface. In this paper, the GH shift versus the film thickness is directly measured by microwave technology. The experimental measurements confirm the theoretical prediction.

关 键 词：Goos—Hǎnchen位移 共振增强 电介质膜 微波测量 

分 类 号：O484[理学—固体物理]