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作 者:姚素薇[1] 姜莹[1] 张卫国[1] 吴海霞[1] 赵瑾[1] 张璐[1]
机构地区:[1]天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津300072
出 处:《纳米技术与精密工程》2006年第2期151-157,共7页Nanotechnology and Precision Engineering
基 金:国家自然科学基金资助项目(50071039;50271046)教育部博士点基金资助项目(20030056034)
摘 要:巨磁电阻材料大多采用物理法制备.与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径.为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能.简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望.Most giant magnetoresistance(GMR) materials are fabricated by physical methods. Compared with sputtering or molecular beam epitaxy, electrochemical technique is a favorable way of preparing GMR materials for its simple facilities, low cost, low temperature manipulation and maneuverable process. In respect of the domestic and overseas study status, as well as the researches of our laboratory in recent years, this paper introduces the electrochemical preparation, characterization and magnetoresistance performance of GMR materials, including muhilayered nanowiros, nanometer metallic multilayers, spin valves and granular finns. Applications of GMR materials on ultra-high-sensitivity micro sensor, GMR magnetic disk, read head, magnetic random access memory(MRAM) and magnetoelectronic components are dealt with. Research and development trends of GMR materials are prospected.
分 类 号:TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]
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