Al/AlN/Si MIS结构的电学性质  

Electrical Properties of Al/AlN/Si MIS Structure

作　　者：周春红[1] 孔月婵[1] 席冬娟[1] 陈鹏[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室南京大学物理系

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第2期143-147,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金(60136020)

摘　　要：用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。In this paper,the good performance Al/AlN/Si MIS structure was prepared using crystal AlN film grown by MOCVD. The characteristic of Al/AlN/Si MIS structure was studied for the first time by C-V technique. The polarization of AlN was measured and the C-V curves of the Al/AlN/Si structure showed that the polarization of AlN film is -0. 000 92 C/m^2. There are continuous interface trap states at AlN/Si heterostructure. The trap states distribution with the energy range at Si forbidden band was given. The discrete trap center Et-Ev（AlN）=2.55 eV in AlN film was found.

关 键 词：铝/氮化铝/硅 金属绝缘体半导体结构 极化性质 界面陷阱态 

分 类 号：TN472.4[电子电信—微电子学与固体电子学]