真空蒸馏法脱除金属铟中Cd、Zn、Tl、Pb的研究  

Removal of Cd,Zn,Tl and Pb from Indium by Vacuum Distillation

作　　者：杜国山[1] 杨斌[1] 戴永年[1] 

机构地区：[1]昆明理工大学云南省有色金属真空冶金重点实验室,云南昆明650093

出　　处：《云南化工》2006年第3期28-31,共4页Yunnan Chemical Technology

基　　金：云南省科技型中小型企业创新专项基金资助项目(2004CX08)

摘　　要：通过理论论证了铟与镉、铊、铅、锌分离的可能性,研究了采用真空蒸馏的方法脱除镉、铊、铅、锌到4N精铟要求的工艺条件。实验表明,控制蒸馏温度1 000℃,恒温时间270 m in,可以将镉、铊、铅、锌的含量降到4N国家标准,整个过程中,金属铟的挥发率为9.44%。The removal of Cd, Pb, Zn and Tl from indium was analyzed and studied by vacuum distillation. Result showed that content of Cd, Pb, Zn and Tl could be decreased to the 4N domestic standard, and the evaporation rate of indium was 9.44%.

关 键 词：金属铟 真空蒸馏 4N精铟 

分 类 号：TG146.431[一般工业技术—材料科学与工程]