材料科学基础学科：SiOx（x≤2）基电致发光体系研究进展  

Development on SiOx（x≤2）-Based electroluminescence system

作　　者：张文彬[1] 张开坚 李新军 何明兴 

机构地区：[1]攀枝花钢铁研究院,攀枝花617000 [2]不详

出　　处：《中国学术期刊文摘》2006年第12期2-2,共1页Chinese Science Abstracts(Chinese Edition)

摘　　要：近年来，SiOx（x≤2）基电致发光材料发展迅速．着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-nc嵌SiO2、多孔硅、a-Si（C）：H以及MOS结构，并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析，认为电致发光原子SiOx（x≤2）中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合．在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中，提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率．在对比SiOx（x≤2）基LED研究的基础上，对下一步发展提出了建议．

关 键 词：氧化硅 电致发光 掺杂 量子效率 载流子 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学] TG111[金属学及工艺—物理冶金]