检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]中国科学院半导体研究所人工神经网络与高速电路实验室,北京100083 [2]奥本大学电子工程与计算机科学系
出 处:《Journal of Semiconductors》2006年第6期970-975,共6页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金资助项目(批准号:90207008)~~
摘 要:We present the design of a wide-band low-noise amplifier (LNA) implemented in 0.35μm SiGe BiCMOS technology for cable and terrestrial tuner applications. The LNA utilizes current injection to achieve high linearity. Without using inductors, the LNA achieves 0.1 ~ 1GHz wide bandwidth and 18. 8dB gain with less than 1.4dB of gain variation. The noise figure of the wideband LNA is 5dB, and its 1dB compression point is - 2dBm and IIP3 is 8dBm. The LNA dissipates 120mW of power with a 5V supply.提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.
关 键 词:BICMOS wide band noise figure LINEARITY low-noise amplifier SIGE
分 类 号:TN722.3[电子电信—电路与系统]
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