一种分子基电双稳器件  

A Molecular-based Electrical Bistable Device

作　　者：蔡永挚[1] 郭鹏[1] 蓝碧健[1] 邹振光[2] 吕银祥[1] 徐伟[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433 [2]复旦大学化学系,上海200433

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》2006年第3期359-361,366,共4页Journal of Fudan University：Natural Science

基　　金：教育部跨世纪优秀人才培养计划基金;国家自然科学基金(60171008);上海市科学技术委员会纳米专项基金(0214nm0050452nm087)资助项目

摘　　要：报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件，Al／BN4/Al／BN4/Al．其中功能层为有机／金属/有机的夹层结构，而中间金属层要非常薄．该器件在较低电压作用时呈现高阻状态，阻值在10^6～10^9Ω；而当电压超过某一阈值时，器件导电态发生改变，由高阻态跃迁为低阻态，阻值约为10^2～10^5Ω．两种状态的电阻值比为10^3～10^5．另外，还比较了不同功能层厚度器件的性能．It is reported a kind of molecular-hased electrical bistable device Al/BN4/Al/BN4/Al, where a thin metal layer is embedded within the organic material as the active medium. The device exhibits a high-resistance state（ 10^6-10^9 Ω） under a lower voltage, whereas it retains a low-resistance state（10^2-10^5 Ω） upon a higher voltage. The resistance ratio of the two states is about 10^3-10^5. Furthermore, the situations of different depth of the active medium have also been compared.

关 键 词：有机分子材料 可逆电双稳态 分子基器件 

分 类 号：O626[理学—有机化学] O484.4[理学—化学]