电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响  

作　　者：李盛涛[1] 刘辅宜[1] 李博 

机构地区：[1]西安交通大学电气工程学院

出　　处：《电瓷避雷器》1996年第5期40-43,48,共5页Insulators and Surge Arresters

基　　金：电力设备电气绝缘国家重点实验室开放课题

摘　　要：发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。

关 键 词：压敏电阻片 通流能力 电流密度分布 

分 类 号：TN379[电子电信—物理电子学]