电子碰撞引起的元素钬和锇的L壳电离  

作　　者：罗正明[1] 杨代伦[1] 勾成俊[1] 吴章文[1] 彭秀峰[1] 何福庆[1] 

机构地区：[1]辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所,成都610064

出　　处：《科学通报》2006年第12期1369-1372,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：10275044）;国际原子能机构IAEA研究合同（编号：12354/R1）资助项目.

摘　　要：无论在基础研究方面,还是在高技术应用方面,电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义.目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶,气体靶仅限于少数气体元素,而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展．为了解决这些难题,提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面．用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇L壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面,电子能量从阈能附近到36keV．同时,采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正,并把实验结果与Gryzinski和McGujre的两个理论计算结果进行比较．

关 键 词：钬 锇 L壳电离 电子碰撞 

分 类 号：O562.1[理学—原子与分子物理]