氧吸附金刚石(100)表面的电子结构  

作　　者：刘峰斌[1] 汪家道[1] 刘兵[2] 李学敏[1] 陈大融[1] 

机构地区：[1]清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084 [2]清华大学核能与新能源技术研究院,北京100084

出　　处：《科学通报》2006年第12期1377-1382,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金（批准号：50475018,50505020）;北京市科技计划资助项目.

摘　　要：利用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了桥接型和顶接型氧吸附金刚石(100)表面的平衡态几何结构和电子结构．结果表明,桥接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中不存在表面态,价带中的占据态主要由O 2p未成键轨道和C-O轨道、C-H轨道作用诱发,而顶接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中存在未占据态,来源于C 2p和O 2p的未成键轨道,价带中占据态则由O 2p未成键轨道和C=Oπ键诱发．

关 键 词：第一原理 氧吸附 金刚石(100)表面 电子结构 

分 类 号：O613.71[理学—无机化学] TN304.23[理学—化学]