检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]安徽大学物理与材料科学学院信息材料与器件重点实验室,安徽合肥230039
出 处:《安徽大学学报(自然科学版)》2006年第4期61-64,共4页Journal of Anhui University(Natural Science Edition)
基 金:安徽省教育厅科研基金资助项目(2005KJ224);安徽省高等学校教学研究基金资助项目(X200521);安徽省信息材料与器件重点实验室课题基金资助项目
摘 要:氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.ZnO varistors is characterized by its excellent nonlinear volt- amppere characteristic and very low leakage current under steady - state voltage ( low energy consumption). With these features, it can be used in over voltage protection, lightning arresting, surge absorption, etc. The recent developments on the research for the ZnO varistor were reviewed in this paper, which contain the theory of conduction, aging, nonlinear additive and manufacturing technique. It is suggested that the research for ZnO varistors should focus on chip varistors, low voltage varistors and theory of conduction.
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.222