一种新型的低电压高速CMOS锁相环电荷泵  

A New CMOS PLL Charge Pump for Low-voltage(1V) High-Speed

作　　者：杨运福[1] 戴庆元[1] 刘天伟[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳米院,上海200030

出　　处：《微处理机》2006年第3期11-13,共3页Microprocessors

摘　　要：采用0.18μm标准CMOS工艺,设计并流片验证了一种新型的低电压高速CMOS锁相环电荷泵。该电荷泵电路适合低电压工作,电源电压仅为1V。该电路的输出电压也达到了相对较宽的范围:100mV到900mV,同时又较好地抑制了输出电流的尖脉冲干扰。最后HSPICE模拟结果表明:在较高的工作频率(500MHz)下,电荷泵电路功耗也相对较低(60μW)。A new charge pump structure for phase locked loop（PLL） applications is present. The circuit is designed in a standard CMOS 0. 18μm technology, and it operates from a 1V power supply. The output voltage has a relatively wide range, from 100mV to 900mV, and the circuit minimizes the amount of glitches in the output current. Simulation results in HSPICE show the capability of high - frequency operation （500MHz）, with very low - power consumption （60μW）.

关 键 词：电荷泵 开关速度 开关电流源 缓冲器 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]