缺陷对左手材料内部能量分布的影响  

作　　者：罗春荣[1] 介晓永[1] 赵乾[1] 赵晓鹏[1] 

机构地区：[1]西北工业大学电流变技术研究所,西安710072

出　　处：《自然科学进展》2006年第7期912-915,共4页

基　　金：国家杰出青年科学基金(批准号:50025207);国家自然科学基金(批准号:50272054);航空基金(批准号:05G53045);国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB719805)资助项目

摘　　要：研究了以金属铜六边形开口谐振环(split ring resonators,SRRs)和铜线为基本结构单元的左手材料内部能量分布状态。利用波导测量线法测量了受X波段(8—12GHz)微波作用时左手材料及含空位和线缺陷左手材料内部电磁场能量分布。实验发现左手材料样品只对其谐振频率9.6GHz及附近发生介电响应,而对非谐振区频率几乎没有响应。引入空位和线缺陷后,导致左手材料内部的电磁场能量幅值整体减小,最大下降幅度达23％。认为缺陷的引入破坏了左手材料的周期性有序结构,导致SRRs和铜线间的相互作用改变,从而引起其内部电磁场能量变化。

关 键 词：左手材料 缺陷 电磁场能量分布 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O461.21[理学—电子物理学]