β-Si_3N_4电子结构和光学性质的第一性原理研究  

First-principles study on the electrical structures and optical properties of β-Si_3N_4

作　　者：潘洪哲[1] 徐明[1,2] 祝文军[1,3] 周海平[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所 [2]重庆邮电学院光电工程学院,重庆400065 [3]中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳621900

出　　处：《物理学报》2006年第7期3585-3589,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：四川省教育厅重点基金项目(批准号:2005A092);四川师范大学重点研究项目(批准号:037003)资助的课题.~~

摘　　要：采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.Electrical structures and optical properties of β-Si3 N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-petential method （PWP） with GGA. The results such as lattice constants and band structures are in good agreement with experimental data. Furthermore, the pressure-dependent coefficient and band gap of β-Si3N4 have also been calculated, which will be helpful in the application of Si3 N4 under high pressure.

关 键 词：β相氮化硅 电子结构 能带结构 光学性质 

分 类 号：O561[理学—原子与分子物理]